Микросхемы
Микросхема по своей сути является микроэлектронным устройством, изготовленным на полупроводниковой пластине или плёнке. Для упрощения их установки и защиты от возможных повреждений они помещаются в особые корпусы. Микросхемы значительно облегчают жизнь практически каждого человека в современном мире, поскольку именно благодаря им гигантское количество транзисторов можно закрепить на одном кристалле площадью в несколько квадратных сантиметров.
Компания «Радио-Гуру» предлагает вам широкий выбор самых разнообразных микросхем. В нашем ассортименте представлены микросхемы памяти, питания, отечественные версии и т.д. Все наши товары сертифицированы заводами-производителями и являются высококачественными комплектующими для большого количества устройств. Мы также обеспечиваем доставку в кратчайшие сроки, а если вы проживаете в пределах Москвы, вы лично можете забрать необходимую вам микросхему в нашем магазине.
Чтобы корректно направить нам заявку на приобретение электронных компонентов и других товаров, необходимо:
1) Указать ТИП ИЗДЕЛИЯ, НАИМЕНОВАНИЕ, БРЕНД, ГОД ВЫПУСКА ИЗДЕЛИЯ, ПРИЕМКА, КОЛИЧЕСТВОИ направить нам заявку на электронный почтовый адрес — Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Рассмотрение заявок занимает как правило, 1-3 рабочих дня.
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT236
Выходной ток: макс.: 600 мА
Ток: собственного потребления: 28 мк А
Примечание: Switching Regulator, Current-mode, 0.6A, 2100kHz Switching Freq-Max, PDSO6
Входное напряжение: 4…60 В
Выходное напряжение: 0,8…55 В
Частота: преобразования: 0,7…2,1 М Гц
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: 8-SOIC
Входное напряжение: 2,2…5,5 В
Тип монтажа: Поверхностный
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SC-70-5
Выходной ток: на канал: 160 мА
Ток: входного смещения: 15 н А
Тип: усилителя: General Purpose
Напряжение: входного смещения: 1700 мк В
Выходное напряжение: Single/Dual (±): 2.7 V ~ 5.5 V, ±1.35 V ~ 2.75 V
Скорость: нарастания выходного напряжения: 1 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 1
Тип монтажа: Поверхностный
Полоса пропускания: 1 М Гц
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SC-70-5
Выходной ток: на канал: 160 мА
Ток: входного смещения: 15 н А
Напряжение: входного смещения: 1700 мк В
Выходное напряжение: Single/Dual (±): 2.7 V ~ 5.5 V, ±1.35 V ~ 2.75 V
Скорость: нарастания выходного напряжения: 1 В/мкс
Тип выхода: Rail-to-Rail
Количество: каналов: 1
Тип монтажа: Поверхностный
Полоса пропускания: 1 М Гц
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOIC8
Ток: собственного потребления: 20 мк А
Напряжение питания: 3…15,5 В
Частота: единичного усиления: 50 Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,015 В/мкс
Количество: каналов: 2
Рабочая температура: -40…+150 °С
Корпус: HTSSOP-20
Выходной ток: макс.: 20 А
Ток: собственного потребления: 4,6 мА
Примечание: Switching Controller, Current-mode, 20A, 1000kHz Switching Freq-Max, PDSO20
Входное напряжение: 6…100 В
Выходное напряжение: 1,22…80 В
Частота: преобразования: 0,05…1 М Гц
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: HTSSOP-28
Выходной ток: макс.: 20 А
Ток: собственного потребления: 1,65 мА
Примечание: Switching Regulator, Current-mode, 20A, 600kHz Switching Freq-Max, PDSO28
Входное напряжение: 3,5…42 В
Выходное напряжение: 0,8…55 В
Частота: преобразования: 100…600 Гц
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: MSOP10
Выходной ток: макс.: 10 А
Ток: собственного потребления: 3,5 мА
Примечание: Switching Controller, Current-mode, 0.1A, 2200kHz Switching Freq-Max, PDSO10
Входное напряжение: 6…60 В
Выходное напряжение: 1,3…300 В
Частота: преобразования: 0,17…2,2 М Гц
Количество выходов: 1
Вес: 0,25 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: soic-14(0.154 inch)
Выходной ток: на канал: 40 мА
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: общего применения
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 20 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +3…32, ±1.5…16 В
Частота: единичного усиления: 1,2 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,5 В/мкс
Количество: каналов: 4
Вес: 1,9 г
Рабочая температура: 0…+70 °С
Корпус: dip-14(0.300 inch)
Выходной ток: на канал: 40 мА
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: общего применения
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 20 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +3…32, ±1.5…16 В
Частота: единичного усиления: 1,2 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,5 В/мкс
Количество: каналов: 4
Вес: 0,08 г
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT-23
Выходной ток: 2,25 А
Входное напряжение: 2,7…5,5 В
Выходное напряжение: 3…24 В
Частота: переключений: 1600 Гц
Тип выхода: Регулируемый
Тип монтажа: Surface Mount
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC8
Выходной ток: 10 А
Ток: собственного потребления: 2,7 мА
Примечание: Switching Controller, Current-mode, 1A, 1000kHz Switching Freq-Max, PDSO8
Входное напряжение: 2,97…40 В
Выходное напряжение: 1,5…500 В
Частота: преобразования: 0,1…1 М Гц
Количество выходов: 1
Вес: 0,08 г
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: sot23-5
Выходной ток: макс.: 1,8 А
Тип: преобразователя: step-up
Рабочая частота: 1600 Гц
Входное напряжение: 2,7…14 В
Выходное напряжение: 5…22 В
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Выходной ток: 200 мА
Ток: источника питания: 4 мА
Входное напряжение: 1,5…5,5 В
Выходное напряжение: 1,5…5,5 В
Частота: переключений: 150 Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Вес: 0,08 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: VSSOP8
Выходной ток: 1 А
Входное напряжение: 1,2…14 В
Выходное напряжение: 1,24…14 В
Частота: генерации: 300…2000 Гц
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Выходной ток: 3 А
Ток: источника питания: 5 мА
Входное напряжение: 4,5…40 В
Выходное напряжение: 3,3 В
Частота: переключений: 173 Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Количество выходов: 1
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: HTSSOP-20
Выходной ток: макс.: 10 А
Ток: собственного потребления: 4,5 мА
Примечание: Switching Controller, Current-mode, 10A, 500kHz Switching Freq-Max, PDSO20
Входное напряжение: 3…42 В
Выходное напряжение: 1,23…38 В
Частота: преобразования: 50…500 Гц
Количество выходов: 1
Вес: 0,1 г
Корпус: sot23-6
Выходной ток: макс.: 0,04 А
Тип: преобразователя: switched capacitor, inverting
Рабочая частота: 80 Гц
Входное напряжение: 1,8…5,5 В
Выходное напряжение: -1,8…-5,5 В
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: TO2636
Выходной ток: макс.: 1 А
Ток: собственного потребления: 10 мА
Примечание: Switching Regulator, Voltage-mode, 1A, 63kHz Switching Freq-Max, PSSO5
Входное напряжение: 4…40 В
Выходное напряжение: 3,3…37 В
Частота: преобразования: 42…63 Гц
Количество выходов: 1
Вес: 1,9 г
Рабочая температура: -25…+85 °С
Корпус: dip-14(0.300 inch)
Выходной ток: на канал: 40 мА
Ток: собственного потребления: 1,4 мА
Тип: усилителя: общего применения
Напряжение: смещения на входе: 3000 мк В
Характеристика: Токовое смещение на входе: 20 н А
Напряжение питания: однополярное(+)/двуполярное (±): +3…32, ±1.5…16 В
Частота: единичного усиления: 1,2 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,5 В/мкс
Количество: каналов: 4
Рабочая температура: -55…+125 °С
Корпус: SOIC14
Ток: собственного потребления: 175 мк А
Напряжение питания: 16…32 В
Частота: единичного усиления: 1,2 М Гц
Скорость: нарастания выходного сигнала: 0,5 В/мкс
Количество: каналов: 4
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC16
Потребляемый ток: 15 мА
Вес: 0,075 г
Рабочая температура: -40…+125 °С
Количество выводов: 6
Напряжение питания: 2,7…26 В
Входное напряжение: смещения: 5 мк В
Коэффициент: подавления синфазного сигнала: 120 дБ
Количество: усилителей: 1
Полоса пропускания: 80 Гц
Входной ток: смещения: 28 мк А
Ширина: полосы сигнала: 350 Гц
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT235
Ток: собственного потребления: 300 мк А
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Коэффициент: ослабления синфазного сигнала минимальный: 84 дБ
Коэффициент усиления: по напряжению: 0…200 В/ В
Длина: 367 мм
Ширина: 367 мм
Глубина: 35 мм
Вес: 0,25 г
Максимальный ток: на входе: 303 мА
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC
Количество контактов: 8
Количество: каналов: 2
Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Скорость передачи данных: 1 Мбит/с
Напряжение изоляции: 2500 В
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC8
Примечание: Interface Circuit, CMOS, PDSO8
Напряжение питания: 3,3…5 В
Количество: приёмников: 1
Скорость передачи данных: 5 Mbps
Напряжение изоляции: 2500 В
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOIC8
Примечание: Interface Circuit, CMOS, PDSO8
Напряжение питания: 3,3…5 В
Количество: приёмников: 0
Скорость передачи данных: 1 Mbps
Напряжение изоляции: 2500 В
Вес: 0,9 г
Рабочая температура: 0…+125 °С
Корпус: VQFN-20 EP(3.5x3.5)
Выходной ток: 4 А
Тип: Контроллер заряда аккумулятора
Напряжение питания: 4.5…24 В
Выходное напряжение: 1.024…19.2 В
Количество: ячеек: 1…4
Ширина: полосы сигнала: 350 Гц
Рабочая температура: -40…+125 °С
Корпус: SOT235
Ток: собственного потребления типовой: 300 мк А
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Коэффициент: ослабления синфазного сигнала минимальный: 84 дБ
Коэффициент усиления: по напряжению: 0…200 В
Вес: 1 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 2,7…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: usi
Объем: RAM: 256x8
Количество: входов/выходов: 6
Ядро: avr
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Ширина: шины данных: 8-бит
Вес: 4 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-28(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 4…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 368x8
Количество: входов/выходов: 24
Ядро: pic
Вес: 1,7 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-28(0.295 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 4…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 192x8
Количество: входов/выходов: 22
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Ширина: шины данных: 8-бит
Вес: 11 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-40(0.600 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 4…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 368x8
Количество: входов/выходов: 33
Ядро: pic
Вес: 2,5 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-20(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 128x8
Количество: входов/выходов: 18
Ядро: avr
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Вес: 1 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-8(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 2…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Объем: RAM: 64x8
Количество: входов/выходов: 5
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Вес: 1,9 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: dip-14(0.300 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 2…5,5 В
Частота: тактовая: 20 М Гц
Объем: RAM: 64x8
Количество: входов/выходов: 12
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: Микроконтроллер 8 бит серии PIC12F
Напряжение питания: 2,3…5,5 (max) В
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Упаковка: TUBE, 100 шт.
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Вес: 0,15 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(0.154 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Частота: тактовая: 32 М Гц
Интерфейс: I2C, LIN, SPI, UART
Объем: RAM: 128x8
Количество: входов/выходов: 6
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,6 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 64 kбит(8k x 8)
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SOIC
Количество выводов: 8
Тип: 4Kbit Serial Microwire EEPROMs
Размер: памяти: 4 Кбит
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Частота: тактовая (max): 2 М Гц
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: SO8150
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Интерфейс: I2C
Объем: памяти: 4 кбит
Вес: 1,2 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-18(0.295 inch)
Тип: памяти: flash
Напряжение питания: 1,8…5,5 В
Частота: тактовая: 32 М Гц
Интерфейс: i2c, spi, uart
Объем: RAM: 384x8
Количество: входов/выходов: 16
Ядро: pic
Шаг/дискретность: шины данных: 8-бит
Вес: 0,6 г
Рабочая температура: -40…+85 °С
Корпус: soic-8(3.9мм)
Тип: памяти: eeprom
Напряжение питания: 1,7…5,5 В
Частота: тактовая (max): 1 М Гц
Интерфейс: i2c, 2-wire serial
Объем: памяти: 256 kбит(32k x 8)
Корпус: SOIC-8 (SMD)
Тип: М/с последовательной памяти ферроэлектрическая серии FM25V
Напряжение питания: 2…3,6 В
Частота: 40 М Гц
Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С
Описание: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM Serial (SPI) F-RAM
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 3
Интерфейс: SPI
Тип монтажа: поверхностный (SMT)
Память: 512Kит (64KX8) 2.0-3.6V F-RAM
Ширина: шины данных: 16 bit
Вес: 0,726 г
Рабочая температура: -40…+95 °С
Тип: DRAM
Размер: памяти: 2 Gbit
Напряжение питания: 1,7…1,9 В
Частота: тактовая (max): 400 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
Ширина: шины данных: 16 bit
Рабочая температура: 0…+85 °С
Тип: DRAM
Размер: памяти: 2 Gbit
Напряжение питания: 1,7…1,9 В
Частота: тактовая (max): 800 М Гц
Тип монтажа: SMD/SMT
Категория: DRAM
Недавно просмотренные товары:
Мой аккаунт
ИНФОРМАЦИЯ
Интернет-магазин. Купить электронные компоненты и радиодетали
- Почта: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
- Более 1 000 000 товаров в наличии и под заказ!
